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记忆体 Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4

Samsung 刚才宣布量产第二代10nm级别(1y-nm)的8Gb DDR4记忆体颗粒,新的记忆体具备更高的频率与更低的供货,以及更小的尺寸,产能可以比初代10nm级别(1x -nm)的高30%,然而价格应该暂时不会降。

记忆体  Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4

新的1y-nm 8Gb DDR4颗粒採用了先进的专用电路设计技术,性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%,它能够在3600MHz下运行,而1x-nm的8Gb DDR4颗粒则是3200MHz,也就是说以后的高频记忆体要以3600MHz起步了。

目前1y-nm记忆体的生产还没有用上EUV极紫外光设备,这次用的是高灵敏度细胞数据传感系统(high-sensitivity cell data sensing system)与空气垫片(air spacer)方案,前者可以更準确地确定每个单元中储存的数据,从而显着提高电路集成度和生产效率,后者是在位线周围布置独特的空气垫片,这样可以显着降低寄生电容。

记忆体  Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4

现在1y-nm DDR4记忆体模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作,接下来计划于全球IT客户合作,开发下一代计算系统,随着1y-nm记忆体投产所带来的技术储备,Samsung 可以加速下一代记忆体产品 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上的研发,进一步巩固在储存市场上的地位。
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Samsung 刚才宣布量产第二代10nm级别(1y-nm)的8Gb DDR4记忆体颗粒,新的记忆体具备更高的频率与更低的供货,以及更小的尺寸,产能可以比初代10nm级别(1x -nm)的高30%,然而价格应该暂时不会降。

记忆体  Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4

新的1y-nm 8Gb DDR4颗粒採用了先进的专用电路设计技术,性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%,它能够在3600MHz下运行,而1x-nm的8Gb DDR4颗粒则是3200MHz,也就是说以后的高频记忆体要以3600MHz起步了。

目前1y-nm记忆体的生产还没有用上EUV极紫外光设备,这次用的是高灵敏度细胞数据传感系统(high-sensitivity cell data sensing system)与空气垫片(air spacer)方案,前者可以更準确地确定每个单元中储存的数据,从而显着提高电路集成度和生产效率,后者是在位线周围布置独特的空气垫片,这样可以显着降低寄生电容。

记忆体  Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4

现在1y-nm DDR4记忆体模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作,接下来计划于全球IT客户合作,开发下一代计算系统,随着1y-nm记忆体投产所带来的技术储备,Samsung 可以加速下一代记忆体产品 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上的研发,进一步巩固在储存市场上的地位。
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